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論文

EPR and pulsed ENDOR study of EI6 and related defects in 4$$H$$-SiC

梅田 享英*; 石塚 雄也*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 神谷 富裕

Materials Science Forum, 457-460, p.465 - 468, 2004/10

p型及びn型六方晶炭化ケイ素(4$$H$$-SiC)中のシリコンアンチサイト欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)及び電子・核二重共鳴(ENDOR)により調べた。シリコンアンチサイトは4$$H$$-SiCへ800$$^{circ}$$Cで電子線照射(3MeV, 4$$times$$10$$^{18}$$/cm$$^{2}$$)を行うことで導入した。これまで正に帯電したシリコンアンチサイトのみが報告されていたが、本研究では負に帯電したシリコンアンチサイトを発見した。$$^{29}$$Si超微細相互作用よりシリコンアンチサイトの構造緩和を詳細に調べたので報告する。

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